SIZ918DT-T1-GE3
Número de Producto del Fabricante:

SIZ918DT-T1-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SIZ918DT-T1-GE3-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)

Inventario:

21637 Pcs Nuevos Originales En Stock
12787776
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SIZ918DT-T1-GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A, 28A
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
790pF @ 15V
Potencia - Máx.
29W, 100W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PowerPair® (6x5)
Número de producto base
SIZ918

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SIZ918DT-T1-GE3CT
SIZ918DT-T1-GE3TR
SIZ918DT-T1-GE3DKR
SIZ918DTT1GE3

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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