Número de Producto del Fabricante:
SQ2325ES-T1_GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SQ2325ES-T1_GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Descripción Detallada:
P-Channel 150 V 840mA (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
749 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786149
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ENVIAR
SQ2325ES-T1_GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
840mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.77Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TA)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SQ2325
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SQ2325ES-T1_GE3DKR
742-SQ2325ES-T1_GE3CT
SQ2325ES-T1_GE3CT
742-SQ2325ES-T1_GE3TR
SQ2325ES-T1_GE3TR
SQ2325ES-T1_GE3CT-DG
SQ2325ES-T1_GE3TR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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