SQM50028EM_GE3
Número de Producto del Fabricante:

SQM50028EM_GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

Número de pieza:

SQM50028EM_GE3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventario:

671 Pcs Nuevos Originales En Stock
12786119
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SQM50028EM_GE3 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
SQM50028

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
SQM50028EM_GE3DKR
SQM50028EM_GE3TR
SQM50028EM_GE3CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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