Número de Producto del Fabricante:
SUP60N02-4M5P-E3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SUP60N02-4M5P-E3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12920550
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ENVIAR
SUP60N02-4M5P-E3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
-
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5950 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SUP60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SUD50N04-8M8P-4GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1480
NÚMERO DE PIEZA
SUD50N04-8M8P-4GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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