Número de Producto del Fabricante:
GT045N10M
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
Número de pieza:
GT045N10M-DG
Descripción:
N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventario:
694 Pcs Nuevos Originales En Stock
13002762
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ENVIAR
GT045N10M Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SGT
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4198 pF @ 50 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
3141-GT045N10MTR
4822-GT045N10MTR
3141-GT045N10MCT
3141-GT045N10MDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
GT045N10M
FABRICANTE
Goford Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
694
NÚMERO DE PIEZA
GT045N10M-DG
PRECIO UNITARIO
0.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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