APT15F60B
Número de Producto del Fabricante:

APT15F60B

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

Número de pieza:

APT15F60B-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 16A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventario:

13255976
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

APT15F60B Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
POWER MOS 8™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
430mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2882 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
290W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 [B]
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
APT15F60

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
150-APT15F60B
APT15F60B-ND

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

NTBLS1D5N10MCTXG

MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE

onsemi

NTBG1000N170M1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

onsemi

NTHL1000N170M1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

onsemi

NTMFWS1D5N08XT1G

MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE