Número de Producto del Fabricante:
BSP110,115
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
BSP110,115-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 520mA (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventario:
12830179
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ENVIAR
BSP110,115 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
520mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
40 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
568-6812-2
568-6812-1
934000600115
BSP110 T/R
BSP110 T/R-DG
BSP110,115-DG
BSP110115
568-6812-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDT1600N10ALZ
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
6830
NÚMERO DE PIEZA
FDT1600N10ALZ-DG
PRECIO UNITARIO
0.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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