PMPB07R3ENAX
Número de Producto del Fabricante:

PMPB07R3ENAX

Product Overview

Fabricante:

Nexperia USA Inc.

Número de pieza:

PMPB07R3ENAX-DG

Descripción:

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020M-6

Inventario:

3000 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001002
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

PMPB07R3ENAX Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.6mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
914 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN2020M-6
Paquete / Caja
6-UDFN Exposed Pad

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
1727-PMPB07R3ENAXCT
1727-PMPB07R3ENAXDKR
1727-PMPB07R3ENAXTR
5202-PMPB07R3ENAXTR
934662428184

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
taiwan-semiconductor

TSM038N03PQ33

30V, 78A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G28N03D3

MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L

onsemi

FDMT800120DC-22897

FET 120V 4.2 MOHM PQFN88

taiwan-semiconductor

TSM80N950CP

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER