Número de Producto del Fabricante:
SI7317DN-T1-GE3
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
Número de pieza:
SI7317DN-T1-GE3-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Descripción Detallada:
P-Channel 150 V 2.8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventario:
10437 Pcs Nuevos Originales En Stock
12954275
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SI7317DN-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
365 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8
Número de producto base
SI7317
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7317DN-T1-GE3TR
SI7317DN-T1-GE3DKR
SI7317DN-T1-GE3CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PMPB08R4VPX
MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
SIR476DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
FCH35N60
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
